中微公司：研发人员平均薪资 71 万！
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其中，2025年刻蚀设备销售约 98.32 亿元，同比增长约 35.12%；LPCVD 设备销售约 5.06 亿元，同比增长约 224.23%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。
2025 年归属于母公司所有者的净利润约 21.11 亿元，较上年增加约 4.96 亿元，同比增长约 30.69%，主要原因：
2025 年营业收入增长 36.62%下，毛利较上年增加约 11.28 亿元。
2025 年公司研发投入约 37.44 亿元，同比增加约 12.91 亿元（增长约52.65%），2025 年研发投入占公司营业收入比例约为 30.23%，远高于科创板上市公司的平均研发投入水平（10%~15%）。2025 年研发费用 24.75 亿元，较上年增加约 10.58 亿元（增长约 74.61%）。
经评估师评估，公司以公允价值计量且其变动计入当期损益的对外股权投资于 2025 年产生公允价值变动收益和投资收益合计约 6.61 亿元，较 2024 年的 1.98 亿元增加约 4.64 亿元。
2025 年归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约 15.50 亿元，较上年增加约 1.62 亿元，同比增长约 11.64%，主要原因：2025 年营业收入增长 36.62%，毛利较上年增加约 11.28 亿元，以及 2025 年研发费用较上年增加约 10.58 亿元。
公司业务情况
中微公司开发的 CCP 高能等离子体和 ICP 低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从 65 nm 到 3 nm 及更先进工艺的众多刻蚀应用。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设备已应用于全球先进的 3 nm 及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的 3 nm 芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备均实现了批量销售。公司的 ICP 双台机 Primo Twin-Star®，反应台之间刻蚀速度控制的最好精度已达到每分钟 0.2A（0.02 nm，即 20 pm），这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。
公司近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备和 ALD 薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破 300 个反应台，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司硅和锗硅外延 EPI 设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。
公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备板块，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设备领域专家和领军人才，均拥有 10 年以上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司控股权实现从 “干法” 向 “干法+湿法” 整体解决方案的关键跨越。
在 MOCVD 领域，用于氮化镓基 LED 外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，自 2017 年起已经成为氮化镓基 LED 市场份额最大的 MOCVD 设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。公司在 Micro-LED 和高端显示领域的MOCVD 设备开发上取得了良好进展，2025 年已完成行业头部 Micro-LED 外延公司的量产验证。公司正积极布局用于氮化镓基功率器件领域，新型 MOCVD 设备目前已发往下游客户进行量产验证，为 GaN 功率器件外延设备的国产化做好充分准备。另外，AsP 材料专用的 MOCVD 设备正在根据应用需求定制开发中，其中，面向红光 LED 和 Mini-LED 的 AsP 材料专用设备也已发往显示头部 IDM 公司进行量产验证，其他应用包括红光 Micro-LED、光电子材料外延等也正在逐步推进中。
主要在研项目
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